L’institut Carnot LAAS-CNRS et l'Institut Fraunhofer IISB ainsi que leurs associés – la chaire « Electron Devices » de l'Université d'Erlangen-Nuremberg et le laboratoire CEMES-CNRS à Toulouse – viennent de créer l’
alliance WISEA pour le développement des semi-conducteurs à grands gaps en vue de leur adoption en électronique de puissance.