L’alliance WISEA des semiconducteurs à grand gap

mercredi 16 mai 2012



L’institut Carnot LAAS-CNRS et l'Institut Fraunhofer IISB ainsi que leurs associés – la chaire « Electron Devices » de l'Université d'Erlangen-Nuremberg et le laboratoire CEMES-CNRS à Toulouse – viennent de créer l’alliance WISEA pour le développement des semi-conducteurs à grands gaps en vue de leur adoption en électronique de puissance.

 

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